摘要:
在滴有锡溶液的普通不锈钢片上，利用热化学气相沉积法合成了碳纳米线圈。在900℃煅烧导致不锈钢片表面的皲裂，使得Fe（Ni）和sn能够充分融合，并形成了适合于碳纳米线圈生长的具有活性的Fe（Ni）-Sn-O催化剂颗粒。研究分散在n型硅基板上的合成碳纳米线圈的场发射特性。结果表明碳纳米线圈具有大小为1．6V/ram的低开启电场。单根直立的和躺倒的碳纳米线圈上的电场分布成功地解释了Fowler-Nordheim（F-N）图的“行为”。同时发现躺倒的碳纳米线圈上的场增强因子β是躺倒的碳纳米管上的2．25倍。这是因为碳纳米线圈的螺旋结构减少了周围基板对其的屏蔽效应。在这种情况下，碳纳米线圈更易发射电子，有望应用在X射线源，场发射显示器和其他微纳米装置中。
