摘要:
采用等温等压化学气相沉积技术，分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源，在沉积温度1100和1000℃、压力101kPa条件下，制备了SiC薄膜．利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征．结果表明，1100℃时，以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜，以β-SiC（111）面择优定向生长，由微米级的金字塔锥形结构组成，硅含量随着沉积温度降低而增加；以SiCl-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜，碳含量随着沉积温度降低而增加．此外，以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平均粒径均比以SiCl4-CHa-H2为气源的粒径大．前者SiC薄膜的方块电阻在kΩ级以上，且随着沉积温度的下降急剧升高；后者1100℃时制备的薄膜的方块电阻在kΩ级以上，且随着沉积温度的降低而急剧下降，1000℃时降低到Ω级．
