摘要:
研究了抛光液中磨料、螯合剂、表面活性剂和氧化剂对Cu/Ru/SiO2材料去除速率选择比的影响。利用电化学和磨料颗粒表面Zeta电位对H2O2和KIO4在Cu/Ru抛光中的作用进行了分析。采用原子力显微镜观察了Cu表面的微观形貌。结果表明：无任何氧化剂的抛光液中,Cu和SiO2的抛光速率随着磨料质量分数的升高而增加,Ru的抛光速率几乎为0nm/min,磨料含量对材料抛光速率选择比的影响最大;抛光液中加入表面活性剂可使Cu表面粗糙度由6.76 nm降低到1.286 nm。由于Cu和Ru表面氧化物致密,导致电离的金属离子有限,结果 Ru和Cu的抛光速率随着螯合剂体积的增加变化不明显;H2O2可显著提高Cu的抛光速率,而Ru的抛光速率由0nm/min只提升到24.3 nm/min,KIO4可同时提高Cu,Ru和SiO2的抛光速率,且Cu和Ru抛光速率比接近1∶1。
