摘要:
在堆心菊种子萌发进程中附加100Gs、150Gs、200Gs静磁场研究附加持续的静磁场磁环境对花卉种子萌发的效应和规律，为花卉植物育种附加持续的静磁场强度确定有效阈值。结果表明：100Gs、150Gs对幼苗的鲜重、干重影响有正效应，200Gs则有负效应，在静磁场强度上有一个上、下阈值或最适强度；100Gs静磁场处理与对照相比不仅使种子的发芽率提高12％，也能提高种子的发芽势；随静磁场强度由高到低，对胚根生长发育的效应表现为由正效应逐渐转变为负效应；对堆心菊下胚轴的生长总体上都呈正效应；在侧根发生期间，100Gs和150Gs静磁场处理比200Gs或对照显著地促进侧根发生（P〈0．05）；100～150Gs的静磁场强度有明显的诱变效果。
