摘要:
在量子阱半导体激光器中,量子尺寸引起的衍射效应使半导体激光器的光束质量很差.分别限制结构的垂直结平面发散角在40°左右,使得光束整形系统比较复杂,限制了半导体激光器的直接应用.为解决这一问题,提出了降低垂直结平面发散角的要求.回顾了小发散角半导体激光器的技术发展及应用,对具有小发散角的模式扩展波导结构进行了理论模拟和实验验证,获得了优化的结构.采用MOCVD外延技术生长了外延片,制作了高峰值功率脉冲激光器,获得了快轴发散角小于25°,峰值功率大于80 W的半导体激光器,在激光引信应用中获得良好效果.
