强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响

《物理学报》 赵安昆[1];任忠鸣[1];任树洋[1];操光辉[1];任维丽[1]
摘要:
采用强磁场下物理气相沉积方法,在单晶硅、玻璃板和聚乙烯(PET)基片上真空蒸发制取Te膜.结果显示在三种不同的基片上生长Te膜时,4T强磁场能够加快Te膜的形核长大,增大Te膜的颗粒尺度,使晶粒〈011〉方向取向性增强.
真空蒸镀 , 强磁场 , 晶面取向 , Te薄膜
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