摘要:
在3T强磁场下采用真空蒸发沉积在玻璃基片上制备了三种厚度分别为1，2，3μm的Zn薄膜，并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究．对施加磁场和无磁场环境下制备的试样分别进行了X射线衍射研究．研究表明，3T磁场下制备的Zn薄膜都是沿（002）面取向，而0T磁场下制备的薄膜随着厚度的增加C轴取向逐渐减弱．3T磁场的取向作用可以维持Zn晶粒沿着C轴取向．利用扫描电子显微镜对薄膜表面形貌的研究发现，施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化．对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析，推导了磁场作用下的临界形核半径rM和临界形核自由能△GM．初步分析表明，rM和△GM减小从而增加临界形核浓度是Zn晶粒细化的原因．
