有机衬底SnO2掺Sb透明导电膜的制备

采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构.对衬底适当的加热,当衬底温度为200℃时,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为13cm2/VS,载流子浓度为15.5×1019cm-3,薄膜的电阻率有最小值3.7×10-3Ω@cm.在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右.