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学术文献
单纯疱疹性脑炎事件相关电位研究
单纯疱疹性脑炎事件相关电位研究
来源:
《泸州医学院学报》
作者:
余茜[1];雷晴[2];李晓红[3];叶世金[4]
摘要:
目的:探讨单纯疱疹病毒性脑炎(HSE)事件相关电位.方法:对诊断明确HSE 26例患者进行2次事件相关电位(ERP)检测(入院与出院).结果:HSE患者P3潜伏期均延迟,波形不整或波幅降低为主要改变.颞叶或全脑病变者,其P3潜伏期明显延迟(P<0.01),经治疗后其潜伏期无明显改善.结论:颞叶或全脑弥散性损害者大脑认知功能恢复差.
关键词:
单纯疱疹病毒性脑炎 , 事件相关电位 , 全脑弥散性损害 , P3潜伏期 , P3波幅
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