脑损伤后综合征患者脑CT与事件相关电位的研究

《贵州科学》 李晓裔[1];李景恒[2]
摘要:
探讨脑损伤后综合征患者的事件相关电位、脑CT和认知功能.应用听觉oddball序列刺激的事件相关电位方法对脑损伤后综合征患者30例(病人组),健康人30例(对照组)进行比较.病人组较对照组P3潜伏期延长,波幅降低,经统计学处理有显著性差异(P<0.05).病人组脑CT检查有病灶者P3潜伏期延长,波幅降低更显著.事件相关电位检测和头颅CT对研究脑损伤后综合征患者的认知功能变化有重要作用.
脑损伤后综合征 , 脑CT , 事件相关电位 , 神经系统检查 , 脑认知功能 , 损伤程度
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